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產(chǎn)品中心是德 安捷倫查詢點(diǎn)擊 波形信號發(fā)生器原裝是德科技N5182B信號發(fā)生器帶校準(zhǔn)報(bào)告
產(chǎn)品簡介
N5182B MXG X 系列高性能射頻矢量信號發(fā)生器經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，覆蓋 9 kHz 至 6 GHz 的頻率范圍，是研發(fā)應(yīng)用的“理想發(fā)射機(jī)"。 與 Signal Studio 軟件的實(shí)時(shí)功能結(jié)合使用，可以仿真真實(shí)環(huán)境中的信號。是德科技N5182B信號發(fā)生器帶校準(zhǔn)報(bào)告 是德科技N5182B信號發(fā)生器帶校準(zhǔn)報(bào)告 是德科技N5182B信號發(fā)生器帶校準(zhǔn)報(bào)告
產(chǎn)品分類
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主要特性與技術(shù)指標(biāo)
信號特征9 kHz ～ 3 或 6 GHz在 3 GHz 時(shí)提供 +24 dBm 功率，帶有電子衰減器1 GHz 和 20 kHz 偏置時(shí)，相位噪聲為 -146 dBc≤-73 dBc ACP W-CDMA 64 DPCH 和 <0.4% EVM 160 MHz 802.11ac調(diào)制和掃描AM、FM、?M 和窄脈沖10 MHz 多功能發(fā)生器和低頻輸出數(shù)字步進(jìn)和列表掃描模式l/Q 調(diào)制：ASK、FSK、MSK、PSK、QAM 、定制 I/Q
更多型號咨詢客服人員：（有優(yōu)惠）
是德科技N5182B信號發(fā)生器帶校準(zhǔn)報(bào)告
輸入和輸出
射頻輸出 通過精密N型母連接器輸出射頻信號；參見輸出部分 反向功率保護(hù)信息
I和Q輸入 BNC輸入接受I/Q調(diào)制的“同相"和“正交"輸入信號； 標(biāo)稱輸入阻抗為50ω，損壞水平為1 Vrms和5 Vpeak
后面板連接器
除非另有說明，后面板輸入和輸出均為3.3V CMOS；CMOS輸入將接受5 V CMOS、3 V CMOS或TTL 電壓水平
射頻輸出(選項(xiàng)1EM)通過精密N型母接頭輸出射頻信號
I和Q輸入(選項(xiàng)1EM)接受I/Q調(diào)制SMB連接器的“同相"和“正交"輸入信號， 標(biāo)稱輸入阻抗為50ω；損傷等級為1 Vrms和5v peak；選項(xiàng)1EM N5162A設(shè)備將附帶2個(gè)SMB到BNC適配器
I和Q輸出BNC從內(nèi)部基帶發(fā)生器輸出模擬I/Q調(diào)制信號； 標(biāo)稱輸出阻抗50ω，DC耦合；傷害等級2 V
I條和Q條輸出(選項(xiàng)1EL) BNC輸出差分應(yīng)用的I和Q信號的補(bǔ)碼；
DAC Clk In(選項(xiàng)012)保留供將來使用。是德科技N5182B信號發(fā)生器帶校準(zhǔn)報(bào)告
事件1該連接器輸出由標(biāo)記1產(chǎn)生的可編程定時(shí)信號 標(biāo)記信號也可以在內(nèi)部路由，以控制射頻消隱和ALC保持 功能；輔助I/O連接器上也有該信號 該輸出兼容TTL和3.3 V CMOS 損壞水平為>+8 V和<–4V
模式觸發(fā)器接受信號以觸發(fā)內(nèi)部模式發(fā)生器開始單一模式輸出，用于 配合內(nèi)部基帶發(fā)生器使用 接受最小脈沖寬度為10 ns的CMOS信號 女性BNC 損壞水平為>+8 V和<–4V
BBTRIG 1保留給任意和實(shí)時(shí)基帶發(fā)生器I/O，如標(biāo)記或 觸發(fā)輸入
BBTRIG 2保留給任意和實(shí)時(shí)基帶發(fā)生器I/O，如標(biāo)記或 觸發(fā)輸入
信號發(fā)生器掃描時(shí)，Sweep out產(chǎn)生0至+10 V的輸出電壓；這 也可以對輸出進(jìn)行編程，以指示源何時(shí)建立或輸出脈沖 在這種模式下，視頻和TTL和CMOS兼容；輸出阻抗< 1ω，can 驅(qū)動(dòng)2kω；損壞等級為15伏
Ext 1外部AM/FM/PM #1輸入；標(biāo)稱輸入阻抗為50ω/600ω/1Mω， 名義上的；傷害等級為5 V
Ext 2外部AM/FM/PM #2輸入；標(biāo)稱輸入阻抗為50ω/600ω/1Mω， 名義上的；傷害等級為5 V
LF輸出0至5 V峰值至50ω，標(biāo)稱–5 V至5V失調(diào)是德科技N5182B信號發(fā)生器帶校準(zhǔn)報(bào)告
脈沖外部脈沖調(diào)制輸入；該輸入是TTL和CMOS兼容的；低邏輯 電平為0 V，高邏輯電平為+1v；標(biāo)稱輸入阻抗為50ω；投入 損壞水平為≤–0.3V和≥ +5.3 V
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